IX6R11
ENB
HIN/LIN
ENB
50%
t enb
LGO/HGO
LGO/HGO
10%
Figure 3. INPUT/OUPUT Timing Diagram
Figure 4. ENABLE Waveform Definitions
50%
50%
HIN
50%
50%
HIN/LIN
LIN
Input Signal
tdon
tr
tdoff
tf
90%
90%
90%
LGO
HGO
tdm
HGO/LGO
10%
10%
10%
LGO
HGO
tdm
Outgoing Signal
Figure 5. Definitions of Switching Time Waveforms
Figure 6. Definitions of Delay Matching Waveforms
VCL=15V
600V
10
mp
ste
era
HIN
ENB
LIN
10
uF
0.1
uF
9
10
11
12
3
IX6R11
6
5
7
1
0.1
uF
CL
10
uF
HGO
LGO
VCH
+
-
VHS
uF (0 to 600V)
500V
400V
~
Sa
le
Te
d
for
Op
ti
on
~
13 2
CL
0
200kHz
f PWM
500kHz
1MHz
Figure 7. Switching Time Test Circuit
Figure 8. Device operating range: Buss voltage vs. Frequency
Tested in typical circuit configuration (refer to Figure 10 & 11)
? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料
IXA531S10T/R IC BRIDGE DRVR 3PH 500MA 48-MLP
IXA611S3T/R IC DRIVER HALF BRDG 600MA 16-SOI
IXBD4410PI IC LOW SIDE DRIVER 16DIP
IXD611S7T/R IC DRVR HALF BRIDGE 600MA 14SOIC
IXDD404SIA-16 IC MOSFET DRVR DUAL 4A 16-SOIC
IXDD408YI IC MOSFET DRVR LS 8A SGL 5TO-263
IXDD414SI IC MOSFET DRVR 14A LOSIDE 14SOIC
IXDD509D1T/R IC GATE DRIVER 9A 6-DFN
相关代理商/技术参数
IX6S11S6 功能描述:IC DRVR HALF BRIDGE 6A 18-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IX6S11S6T/R 功能描述:功率驱动器IC 6 Amps 35V 2.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IX82C54 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:CMOS Programmable Intervel Timer
IX9908 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control
IX9908N 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control
IX9908NTR 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage, Dimmable LED Driver with PFC Control
IXA 40PG1200DHG LB 功能描述:桥式整流器 XPT IGBT phaseleg RoHS:否 制造商:Vishay 产品:Single Phase Bridge 峰值反向电压:1000 V 最大 RMS 反向电压: 正向连续电流:4.5 A 最大浪涌电流:450 A 正向电压下降:1 V 最大反向漏泄电流:10 uA 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 长度:30.3 mm 宽度:4.1 mm 高度:20.3 mm 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:SIP-4 封装:Tube
IXA12IF1200HB 功能描述:IGBT 模块 XPT IGBT Copack RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装: